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Si5432DC
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
24
1 8
12
6
V GS = 5 thru 2.5 V
V GS = 2 V
10
8
6
4
2
T C = - 55 °C
T C = 125 °C
0
V GS = 1 V
V GS = 1.5 V
0
T C = 25 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.026
0.024
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1500
C iss
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
1200
0.022
0.020
0.01 8
0.016
V GS = 2.5 V
900
600
0.014
V GS = 4.5 V
C oss
300
0.012
C rss
0.010
0
0
6
12
1 8
24
30
0
5
10
15
20
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 8 .3 A
1.4
I D = 8 .3 A
V GS = 4.5 V, 2.5 V
V DS = 10 V
6
4
2
0
V DS = 16 V
1.2
1.0
0. 8
0.6
0
5
10
15
20
25
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68925
S-82293-Rev. A, 22-Sep-08
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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